MOSFET 1 canal Type N, Type P Double ROHM 8.5 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOP SH8MB Non

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234-2986
Référence fabricant:
SH8MB5TB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N, Type P

Courant continu de Drain maximum Id

8.5A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

SH8MB

Type de Boitier

SOP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

19mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.6nC

Tension directe Vf

-1.2V

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Largeur

6mm

Hauteur

1.75mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

Non

La série RHOM SH8MB5 est un transistor MOSFET à faible résistance à l'état passant idéal pour les applications de commutation. Le petit boîtier de montage en surface (SOP8) contribue à économiser de l'espace.

Faible résistance à l'état passant

Boîtier de montage en surface compact (SOP8)

Placage compatible sans plomb ;

Conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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