MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 114 A 150 V, 8 broches

Les transistors MOSFET à canal N OptiMOS d'Infineon dans un boîtier SuperSO8 étendent la gamme de produits OptiMOS 3 et 5 et permettent une plus grande densité de puissance en plus d'une meilleure robustesse, répondant au besoin de réduire le coût du système et d'augmenter les performances. La faible charge de récupération inverse (QRR) améliore la fiabilité du système en fournissant une réduction significative du dépassement de tension, ce qui minimise le besoin de circuits de snubbers, ce qui réduit les coûts et les efforts d'ingénierie. Il est doté d'un courant de drain continu maximum de 114 A et d'une tension de source de drain maximum de 150 V. Il est idéal pour la commutation haute fréquence et la rectification synchrone.

Le RDS(on) le plus faible permet une densité de puissance et un rendement élevés
Température d'utilisation plus élevée à 175 °C pour une fiabilité accrue
RthJC faible pour un excellent comportement thermique
Charge de récupération inverse plus faible (QRR)
RDS(on) très faible résistance à l'état passant
Très faible charge de récupération inverse (QRR)
Placage sans plomb
Conforme à la directive RoHS