MOSFET Infineon canal N, TSDSON-8 FL 40 A 100 V, 8 broches

Le transistor MOSFET de puissance à canal N Infineon OptiMOS TM PD cible les applications USB-PD et d'adaptateur. Le produit offre une accélération rapide et des délais optimisés. Les transistors MOSFET basse tension OptiMOS TM pour la distribution d'énergie permettent des conceptions avec moins de pièces, ce qui entraîne une réduction des coûts de nomenclature et offre des produits de qualité dans des boîtiers compacts et légers. Il est doté d'un courant de drain continu maximum de 40 A et d'une tension de source de drain maximum de 100 V. Il est idéal pour la commutation haute fréquence et optimisé pour les chargeurs.

Disponibilité du niveau logique
RDS(on) à faible résistance à l'état passant
Faible charge de grille, de sortie et de récupération inverse
Excellent comportement thermique
Testé à 100 % en avalanche
Placage sans plomb
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-21
Conforme à la directive RoHS
Disponible en 2 petits boîtiers standard