MOSFET Infineon canal N, TDSON-8 FL 193 A 40 V, 8 broches

Le transistor de puissance Infineon OptiMOS 5 MOSFET à canal N est doté d'une tension de coupure de source de drain de 40 V et d'un courant de drain continu de 193 A. Ce produit offre une solution de référence pour les applications nécessitant une capacité de commande de niveau normal (tension de seuil plus élevée). Le VTH élevé dans la gamme de niveaux normaux offre une immunité contre les faux mise sous tension en raison des environnements bruyants. En outre, les rapports QGD/QGS plus faibles réduisent le Peak des pics de tension de grille, contribuant ainsi à la robustesse contre les rotations indésirables.

Application alimentée par batterie
Entraînements de moteur basse tension
Très faible résistance à l'état passant RDS(on)
Testé à 100 % en avalanche
Température de jonction de 175 °C.
Résistance thermique excellente
Faible charge de grille
Pertes de commutation réduites
Adapté pour un fonctionnement à des fréquences plus élevées
Canal N.
Placage sans plomb
Conforme à la directive RoHS
Sans halogène, conformément à CEI 61249-2-21