Transistor de puissance canal N Infineon 74 A 200 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL ISC
- Code commande RS:
- 349-149
- Référence fabricant:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Ajoutez 20 de plus pour économiser 10%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
11,98 €
HT
14,38 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 4 970 unité(s) expédiée(s) à partir du 15 juillet 2027
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,99 € | 11,98 € | - |
| 20 - 198 | 5,39 € | 10,78 € | 10% |
| 200 - 998 | 4,97 € | 9,94 € | 17% |
| 1000 - 1998 | 4,615 € | 9,23 € | 22% |
| 2000 + | 4,135 € | 8,27 € | 30% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-149
- Référence fabricant:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Transistor de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 74A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | PG-TDSON-8 FL | |
| Série | ISC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 15.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 31nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 200W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Transistor de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 74A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier PG-TDSON-8 FL | ||
Série ISC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 15.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 31nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 200W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor de puissance série ISC d'Infineon, dissipation de puissance maximale de 200 W, tension de source de drain maximale de 200 V - ISC151N20NM6ATMA1
Caractéristiques et avantages :
• Courant continu de 74 A pour la manipulation de charges lourdes
• Rds(on) de 15,1 mΩ réduit les pertes de conduction à courant élevé
• La dissipation de puissance de 200 W permet une charge thermique élevée
• Charge de grille 31 nC pour une commande de commutation rapide
• Plage de -55 à +175 °C adaptée au fonctionnement à des températures extrêmes
Applications
• Idéal pour la commutation d'inverseurs motorisés
• Utilisé avec des modules de distribution d'alimentation à courant élevé
• Peut être utilisé pour les transistors d'alimentation de serveur
• Convient aux conceptions de régulateurs de commutation industriels
Quelle méthode de montage est nécessaire pour l'assemblage?
Quelle contrainte de tension le dispositif peut-il supporter dans les environnements de commutation?
Comment l'exigence d'entraînement de grille affecte-t-elle la sélection du contrôleur?
Quelles sont les considérations thermiques recommandées pour une utilisation à haute puissance?
Nos clients ont également consulté
- Transistor de puissance canal N Infineon 170 A 120 V Enrichissement PG-TDSON-8 FL ISC
- Transistor de puissance canal N Infineon 541 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8 ISC
- Transistor de puissance canal N Infineon 142 A 135 V Enrichissement PG-TDSON-8 ISC
- MOSFET canal N Infineon 164 A 100 V Enrichissement PG-TDSON-8 ISC
- MOSFET canal N Infineon 62 A 120 V Enrichissement PG-TDSON-8 ISC
- MOSFET canal N Infineon 24 A 120 V Enrichissement PG-TDSON-8 ISC
- Mosfet canal N canal N Infineon 85 A 120 V Enrichissement PG-TDSON-8 ISC
- MOSFET canal N Infineon 77 A 40 V TDSON-8 FL ISC
