MOSFET canal N Infineon 24 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 ISC

Le transistor de puissance OptiMOS 6 d'Infineon est un MOSFET de niveau logique à canal N conçu pour les applications de puissance à haut rendement. Il se caractérise par une très faible résistance à l'état passant (RDS(on)), ce qui réduit les pertes de conduction et améliore le rendement énergétique. Ce transistor offre un excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM), ce qui améliore les performances de commutation. Avec une charge de récupération inverse très faible (Qrr), il minimise les pertes de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications à commutation rapide. Il possède également un indice énergétique élevé en cas d'avalanche, ce qui garantit sa robustesse dans des conditions transitoires. En outre, le MOSFET fonctionne à une température de 175 °C, ce qui lui confère une grande résistance thermique pour les applications exigeantes.

Optimisé pour la commutation à haute fréquence et le redressement synchrone