MOSFET canal Type P, Type N ROHM 5 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TSMT-8 QH8MB5

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235-2672
Référence fabricant:
QH8MB5TCR
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P, Type N

Courant continu de Drain maximum Id

5A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TSMT-8

Série

QH8MB5

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

44mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.5W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3.5nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.9mm

Largeur

850μm

Longueur

3.1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET à canal N double Rohm et canal P qui prend en charge une tension de résistance de 40 V. Il est conçu pour les équipements d'entrée 24 V tels que les équipements d'automatisation en usine et les moteurs montés sur les stations de base. En combinant le canal N + canal P optimal, réduit les efforts de conception. Il contribue également à réduire la consommation d'équipement.

Faible résistance à l'état passant

Petit boîtier de montage en surface

Placage sans plomb

Conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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