MOSFET canal Type N, Type P ROHM 3.5 A 60 V Enrichissement, 8 broches, TSMT-8 QH8MC5

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Code commande RS:
235-2673
Référence fabricant:
QH8MC5TCR
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

Type N, Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3.5A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

QH8MC5

Type de Boitier

TSMT-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

91mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.5W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3.5nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3.1mm

Largeur

850μm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.9mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET à canal N double Rohm et canal P qui prend en charge une tension de résistance de 60 V. Il est conçu pour les équipements d'entrée 24 V tels que les équipements d'automatisation en usine et les moteurs montés sur les stations de base. En combinant le canal N + canal P optimal, réduit les efforts de conception. Il contribue également à réduire la consommation d'équipement.

Faible résistance à l'état passant

Petit boîtier de montage en surface

Placage sans plomb

Conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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