MOSFET P Infineon 22 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IPD
- Code commande RS:
- 235-4852
- Référence fabricant:
- IPD11DP10NMATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 070,00 €
HT
1 285,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,428 € | 1 070,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 235-4852
- Référence fabricant:
- IPD11DP10NMATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 22A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | IPD | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 111mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | -59nC | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.41mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 22A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série IPD | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 111mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs -59nC | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.41mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.22mm | ||
Standard automobile Non | ||
Les MOSFET Infineon OptiMOS TM à canal P 100 V dans un boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ciblée pour la gestion de batterie, les commutateurs de charge et les applications de protection contre les inversions de polarité. L'avantage principal d'un dispositif à canal P est la réduction de la complexité de conception dans les applications de puissance moyenne et faible. Son interface facile au microcontrôleur, sa commutation rapide et sa robustesse en avalanche le rendent adapté pour les applications exigeantes de haute qualité. Il est disponible en niveau normal avec une large plage RDS(on) et améliore le rendement à faibles charges grâce à un faible Qg. Il est utilisé dans la gestion de batterie, l'automatisation industrielle.
Disponible en 4 boîtiers différents
Large gamme
Niveau normal et niveau logique disponible
Idéal pour une fréquence de commutation élevée et faible
Interface facile avec le microcontrôleur
Faible complexité de conception
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