MOSFET Microchip canal P, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches

Le transistor normalement désactivé en mode d'amélioration Microchip utilise une structure DMOS verticale et le processus de fabrication de grille en silicium éprouvé de Supertex. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont parfaitement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une très faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une haute impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides sont souhaitées.

Libre de débitage secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Plus grande facilité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés