MOSFET N STMicroelectronics 100 A 40 V Enrichissement, 4 broches STK AEC-Q101

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Code commande RS:
239-5537
Référence fabricant:
STK130N4LF7AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

STK

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

26nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

105W

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

UL

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET de puissance à canal N de classe automobile de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille en tranchée améliorée qui se traduit par une très faible résistance à l'état sous tension, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

Certifié AEC-Q101

Parmi les RDS(on) les plus faibles sur le marché

Excellent FoM (valeur de mérite)

Faible rapport CRSS/Ciss pour l'immunité IEM

Robustesse à avalanche élevée

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