MOSFET P Vishay 214 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPak 1212-8 W. AEC-Q101

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Code commande RS:
239-8685
Référence fabricant:
SQS405CENW-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

214A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

PowerPak 1212-8 W.

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.02Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

38nC

Dissipation de puissance maximum Pd

197W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Normes/homologations

No

Longueur

3.3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le SQS de Vishay est un transistor MOSFET à canal P automobile qui fonctionne à des températures de 40 V et 175 °C. Ce MOSFET est utilisé pour une haute densité de puissance.

Qualifié AEC-Q101

Testé UIS

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