MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 30 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 STW AEC-Q101

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Code commande RS:
240-0615
Référence fabricant:
STWA75N65DM6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

55A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

TO-247

Série

STW

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

45mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

118nC

Dissipation de puissance maximum Pd

480W

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

UL

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération MDmesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone avec l'un des des comportements de commutation efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.

Diode de corps à récupération rapide

RDS(on) faible par zone par rapport à la génération précédente

Charge de grille, capacité d'entrée et résistance

Testées à 100 % d'avalanche

Robustesse dv/dt extrêmement élevée

Protection Zener

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