MOSFET N STMicroelectronics 55 A 30 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 STW AEC-Q101
- Code commande RS:
- 240-0616
- Référence fabricant:
- STWA75N65DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 12,71 € |
| 5 - 9 | 12,07 € |
| 10 - 24 | 10,86 € |
| 25 - 49 | 9,78 € |
| 50 + | 9,29 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 240-0616
- Référence fabricant:
- STWA75N65DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | STW | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 480W | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 118nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | UL | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série STW | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 480W | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 118nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations UL | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération MDmesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone avec l'un des des comportements de commutation efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) faible par zone par rapport à la génération précédente
Charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testées à 100 % d'avalanche
Robustesse dv/dt extrêmement élevée
Protection Zener
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