MOSFET canal N Nexperia 11.4 A 30 V Enrichissement, 8 broches, MLPAK33

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

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Code commande RS:
240-2000
Référence fabricant:
PXN9R0-30QLJ
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11.4A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

MLPAK33

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

13.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

12.5W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor à effet de champ (FET) Nexperia à mode d'enrichissement canal N dans un boîtier en plastique à montage en surface (CMS) MLPAK33 (SOT8002) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Niveau logique compatible

Technologie MOSFET à tranchée

Boîtier MLPAK33 (encombrement 3,3 x 3,3 mm)

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