MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 39 A 60 V, 8 broches

Le MOSFET de puissance à canal N unique Infineon OptiMOS™ 5 60 V, 1,05 mΩ, 330 A dans un boîtier SSO8. Le MOSFET de puissance OptiMOS™ 5 60 V d'Infineon en boîtier SuperSO8 ISC010N06NM5 offre une faible résistance à l'état passant RDS on à 25˚C et 175˚C, et un courant continu élevé jusqu'à 330 A. Les MOSFET OptiMOS™ d'Infineon en boîtier SuperSO8 étendent le portefeuille de produits OptiMOS™ 3 et 5 et permettent une densité de puissance plus élevée en plus d'une robustesse améliorée, répondant ainsi au besoin d'un coût de système plus faible et d'une performance accrue. La faible charge de récupération inverse Qrr améliore la fiabilité du système en fournissant une réduction significative de la surtension, ce qui minimise le besoin de circuits snubber, d'où une réduction des coûts et des efforts d'ingénierie.

Optimisé pour le redressement synchrone
Testé à 100 % contre l'avalanche
Résistance thermique supérieure
canal N
Renforcé à 175°
Placage plombé sans plomb