MOSFET Infineon canal N, ThinPAK 8 x 8 21 A 650 V, 5 broches

Le transistor MOSFET à super jonction CFD7 CoolMOS™ 650 V d'Infineon est fourni dans un boîtier ThinPAK 8 x 8 et est parfaitement adapté pour les topologies de résonance dans les applications industrielles, telles que les serveurs, les télécommunications, les stations de charge solaires et EV, dans lesquelles il permet des améliorations de rendement significatives par rapport à la concurrence. En tant que successeur de la famille de transistors MOSFET CFD2 SJ, il est fourni avec une charge de grille réduite, un comportement de mise hors tension amélioré et une charge de récupération inverse réduite permettant le rendement et la densité de puissance les plus élevés, ainsi qu'une tension d'isolement supplémentaire de 50 V.

Pertes de commutation nettement réduites par rapport à la concurrence
Marge de sécurité supplémentaire pour les conceptions avec une tension de bus accrue
Rendement à pleine charge amélioré dans les applications SMPS industrielles
Haute densité de puissance