MOSFET canal N Infineon 12 A 650 V Enrichissement, 5 broches, ThinPAK IPL60R
- Code commande RS:
- 222-4919
- Référence fabricant:
- IPL65R195C7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
2 742,00 €
HT
3 291,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,914 € | 2 742,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4919
- Référence fabricant:
- IPL65R195C7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | ThinPAK | |
| Série | IPL60R | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 195mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 23nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 75W | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier ThinPAK | ||
Série IPL60R | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 195mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 23nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 75W | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Largeur 8.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 8.1mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon CoolMOS TM C7 de MOSFET à superjonction est un pas en avant révolutionnaire dans la technologie, fournissant le plus faible RDS(on)/boîtier au monde et, grâce à ses faibles pertes de commutation, des améliorations de rendement sur toute la gamme de charge
Marge de sécurité améliorée et adaptée pour les applications SMPS et les applications d'inverseur solaire
Pertes/boîtier de conduction les plus faibles
Faibles pertes de commutation
Meilleure efficacité de charge légère
Augmentation de la densité de puissance
Excellente qualité CoolMOS
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