MOSFET canal N Infineon 17 A 600 V Enrichissement, 5 broches, ThinPAK IPL60R
- Code commande RS:
- 222-4913
- Référence fabricant:
- IPL60R125C7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
4 233,00 €
HT
5 079,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,411 € | 4 233,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4913
- Référence fabricant:
- IPL60R125C7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 17A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | ThinPAK | |
| Série | IPL60R | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 120mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 34nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 103W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 17A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier ThinPAK | ||
Série IPL60R | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 120mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 103W | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 8.1mm | ||
Longueur 8.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon 600 V CoolMOS TM C7 Superjonction (SJ) MOSFET offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension (E oss) par rapport au CoolMOS TM CP, offrant un niveau de performances exceptionnel dans les topologies PFC, TTF et autres topologies de commutation rigide. L'IPL60R185C7 est également une solution parfaite pour les conceptions de chargeur haute densité de puissance.
Paramètres de perte de commutation réduite tels que Q G, C oss, E oss
Valeur de mérite Q G*R DS(on) haut de gamme
Fréquence de commutation accrue
Meilleure R (on)*A au monde
Diode intégrée robuste
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