MOSFET canal N Infineon 28 A 650 V Enrichissement, 5 broches, ThinPAK IPL60R
- Code commande RS:
- 222-4917
- Référence fabricant:
- IPL65R070C7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
11 232,00 €
HT
13 479,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,744 € | 11 232,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4917
- Référence fabricant:
- IPL65R070C7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 28A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | IPL60R | |
| Type de Boitier | ThinPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 70mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 64nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 169W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 28A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série IPL60R | ||
Type de Boitier ThinPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 64nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 169W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 8.1mm | ||
Longueur 8.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon CoolMOS TM C7 de MOSFET à superjonction est un pas en avant révolutionnaire dans la technologie, fournissant le plus faible RDS(on)/boîtier au monde et, grâce à ses faibles pertes de commutation, des améliorations de rendement sur toute la gamme de charge.
Boîtier/DS(on) R de la meilleure classe révolutionnaire
Réduction de l'énergie stockée dans la capacité de sortie (Eoss)
Charge de grille inférieure Qg
Gain de place grâce à l'utilisation de petits boîtiers ou à la réduction des pièces
12 ans d'expérience de fabrication dans la technologie de superjonction
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