MOSFET et Diode canal N Infineon 30 A 650 V Enrichissement, 5 broches, ThinPAK CoolMOS P6

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220-7435
Référence fabricant:
IPL60R360P6SATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET et Diode

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

ThinPAK

Série

CoolMOS P6

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

360mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22nC

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

89.3W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

900mV

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

6.1mm

Longueur

5.1mm

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

Infineon nouveau Cool MOS Thin PAK 5x6 est un boîtier CMS sans câble spécialement conçu pour les transistors MOSFET haute tension. Ce nouveau boîtier est doté d'un très petit encombrement de 5 x 6 mm 2 et d'un très bas profil avec une hauteur de seulement 1 mm. Cette taille de boîtier nettement plus petite, combinée à ses inductances parasites faibles de référence, peut être utilisée comme un nouveau moyen efficace de réduire la taille de la solution système dans les conceptions à entraînement par densité de puissance. Le boîtier mince PAK 5x6 se caractérise par une très faible inductance de source 1,6 nH, ainsi que par des performances thermiques similaires à DPAK. Le boîtier permet donc une commutation plus rapide et donc plus efficace des transistors MOSFET de puissance et est plus facile à gérer en termes de comportement de commutation et d'IEM.

Pertes extrêmement faibles grâce à un très faible FOMRDSon * Qg et Eoss

Robustesse de commutation très élevée

Facile à utiliser/à piloter

Composé moulé sans halogène à placage PB

Qualifié pour les applications de classe industrielle conformément à JEDEC

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