MOSFET canal N Infineon 20 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS P6

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300 - 5702,161 €64,83 €
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Code commande RS:
145-8600
Référence fabricant:
IPW60R190P6FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

CoolMOS P6

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

37nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

900mV

Dissipation de puissance maximum Pd

151W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

16.13mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.21mm

Hauteur

21.1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY

Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6


La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.

Transistors MOSFET, Infineon


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