MOSFET canal N Infineon 111 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4719
- Référence fabricant:
- IPW60R018CFD7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 222-4719
- Référence fabricant:
- IPW60R018CFD7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 111A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 416W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 251nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 5.21mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Largeur | 21.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 111A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 416W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 251nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 5.21mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Largeur 21.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série C7 Cool MOS de 600 V combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Le C7 600 V est la première technologie jamais utilisée avec RDS(on) * A en dessous de 1 ohm * mm2.
Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23
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