MOSFET canal N Infineon 20 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS C6

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Code commande RS:
911-5029
Référence fabricant:
IPW60R190C6FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247

Série

CoolMOS C6

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

63nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

151W

Tension directe Vf

900mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.21mm

Normes/homologations

No

Hauteur

21.1mm

Longueur

16.13mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C6/C7


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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