Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 20 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS P6

Code commande RS:: 110-9099
Référence fabricant:: IPW60R190P6FKSA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 20 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS P6

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Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 20	3,792 €	18,96 €
25 - 45	3,034 €	15,17 €
50 - 120	2,806 €	14,03 €
125 - 245	2,616 €	13,08 €
250 +	2,426 €	12,13 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 110-9099
Référence fabricant:: IPW60R190P6FKSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	20A
	Tension Drain Source maximum Vds	650V
	Série	CoolMOS P6
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	190mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	900mV
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	37nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-30V, +30V
	Dissipation de puissance maximum Pd	151W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	5.21mm
	Hauteur	21.1mm
	Longueur	16.13mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 20A
	Tension Drain Source maximum Vds 650V
	Série CoolMOS P6
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 900mV
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 37nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V
	Dissipation de puissance maximum Pd 151W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Largeur 5.21mm
	Hauteur 21.1mm
	Longueur 16.13mm
	Standard automobile Non

IPx60R190P6 600V CoolMOS P6 Power Transistor

Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6

La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS^™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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