MOSFET canal N Infineon 12 A 650 V Enrichissement, 5 broches, ThinPAK IPL60R
- Code commande RS:
- 222-4920
- Référence fabricant:
- IPL65R195C7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
18,26 €
HT
21,91 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 2 200 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,652 € | 18,26 € |
| 25 - 45 | 3,47 € | 17,35 € |
| 50 - 120 | 3,12 € | 15,60 € |
| 125 - 245 | 2,812 € | 14,06 € |
| 250 + | 2,668 € | 13,34 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4920
- Référence fabricant:
- IPL65R195C7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | ThinPAK | |
| Série | IPL60R | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 195mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 75W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier ThinPAK | ||
Série IPL60R | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 195mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 23nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 75W | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 8.1mm | ||
Longueur 8.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon CoolMOS TM C7 de MOSFET à superjonction est un pas en avant révolutionnaire dans la technologie, fournissant le plus faible RDS(on)/boîtier au monde et, grâce à ses faibles pertes de commutation, des améliorations de rendement sur toute la gamme de charge
Marge de sécurité améliorée et adaptée pour les applications SMPS et les applications d'inverseur solaire
Pertes/boîtier de conduction les plus faibles
Faibles pertes de commutation
Meilleure efficacité de charge légère
Augmentation de la densité de puissance
Excellente qualité CoolMOS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 12 A 650 V Enrichissement ThinPAK IPL60R
- MOSFET canal N Infineon 28 A 650 V Enrichissement ThinPAK IPL60R
- MOSFET canal N Infineon 19 A 600 V Enrichissement ThinPAK IPL60R
- MOSFET canal N Infineon 17 A 600 V Enrichissement ThinPAK IPL60R
- MOSFET canal N Infineon 33 A 600 V Enrichissement ThinPAK IPL60R
- MOSFET canal N Infineon 14 A 650 V Enrichissement ThinPAK 600V CoolMOS CFD7
- MOSFET et Diode canal N Infineon 30 A 650 V Enrichissement ThinPAK CoolMOS P6
- MOSFET canal N Infineon 29 A 650 V Enrichissement ThinPAK 8x8 IPL AEC-Q101