MOSFET Infineon canal N, ThinPAK 5 x 6 4 A 800 V, 5 broches

La série de MOSFET à super jonction CoolMOS™ P7 d'Infineon 800 V est parfaitement adaptée aux applications SMPS à faible puissance en répondant pleinement aux besoins du marché en matière de performance, de facilité d'utilisation et de rapport prix/performance. Il se concentre principalement sur les applications flyback, notamment les adaptateurs et les chargeurs, les SMPS audio, les AUX et l'alimentation industrielle. Il offre un gain d'efficacité allant jusqu'à 0,6 % et une température de MOSFET inférieure de 2°C à 8°C par rapport à son prédécesseur ainsi qu'aux pièces concurrentes testées dans des applications flyback typiques. Il permet également des conceptions à densité de puissance plus élevée grâce à des pertes de commutation plus faibles et à de meilleurs produits DPAK RDS(on). Dans l'ensemble, il aide les clients à réduire le coût de la nomenclature et l'effort d'assemblage.

Meilleur de la catégorie FOM RDS(on)*Eoss

Le boîtier ThinPAK 5x6 se caractérise par une très petite empreinte de 5x6 mm² et un profil très bas d'une hauteur de 1 mm. Associées à sa faible valeur parasite de référence, ces caractéristiques permettent d'obtenir des facteurs de forme nettement plus petits et contribuent à améliorer la densité de puissance. Cette combinaison fait de CoolMOS™ P7 en ThinPAK 5x6 une solution parfaite pour ses applications cibles.