- Code commande RS:
- 240-8550
- Référence fabricant:
- IPLK80R1K4P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (par multiple de 5)
1,098 €
HT
1,318 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
5 - 45 | 1,098 € | 5,49 € |
50 - 120 | 0,988 € | 4,94 € |
125 - 245 | 0,922 € | 4,61 € |
250 - 495 | 0,856 € | 4,28 € |
500 + | 0,792 € | 3,96 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 240-8550
- Référence fabricant:
- IPLK80R1K4P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
La série de MOSFET à super jonction CoolMOS™ P7 d'Infineon 800 V est parfaitement adaptée aux applications SMPS à faible puissance en répondant pleinement aux besoins du marché en matière de performance, de facilité d'utilisation et de rapport prix/performance. Il se concentre principalement sur les applications flyback, notamment les adaptateurs et les chargeurs, les SMPS audio, les AUX et l'alimentation industrielle. Il offre un gain d'efficacité allant jusqu'à 0,6 % et une température de MOSFET inférieure de 2°C à 8°C par rapport à son prédécesseur ainsi qu'aux pièces concurrentes testées dans des applications flyback typiques. Il permet également des conceptions à densité de puissance plus élevée grâce à des pertes de commutation plus faibles et à de meilleurs produits DPAK RDS(on). Dans l'ensemble, il aide les clients à réduire le coût de la nomenclature et l'effort d'assemblage.
Meilleur de la catégorie FOM RDS(on)*Eoss
Qg, Ciss et Coss réduits
Meilleur RDS(on) de la catégorie DPAK
Meilleure V(GS)th de 3 V de sa catégorie et plus faible variation de V(GS)th de ±0,5 V
Protection ESD à diode Zener intégrée
Portefeuille entièrement optimisé
Low EMI
Meilleur RDS(on) de la catégorie DPAK
Meilleure V(GS)th de 3 V de sa catégorie et plus faible variation de V(GS)th de ±0,5 V
Protection ESD à diode Zener intégrée
Portefeuille entièrement optimisé
Low EMI
Le boîtier ThinPAK 5x6 se caractérise par une très petite empreinte de 5x6 mm² et un profil très bas d'une hauteur de 1 mm. Associées à sa faible valeur parasite de référence, ces caractéristiques permettent d'obtenir des facteurs de forme nettement plus petits et contribuent à améliorer la densité de puissance. Cette combinaison fait de CoolMOS™ P7 en ThinPAK 5x6 une solution parfaite pour ses applications cibles.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 4 A |
Tension Drain Source maximum | 800 V |
Type de boîtier | ThinPAK 5 x 6 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 5 |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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