MOSFET canal N ROHM 10.3 A 40 V N, 8 broches, HUML2020L8 RF4G100BG

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Code commande RS:
241-2262
Référence fabricant:
RF4G100BGTCR
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10.3A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

HUML2020L8

Série

RF4G100BG

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

N

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.6nC

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le Rohm RF4G100BG est un transistor MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'état passant et adapté pour la commutation.

Faible résistance à état passant

Petit boîtier moulé haute puissance HUML2020L8

Placage sans plomb et conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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