MOSFET canal N ROHM 10.3 A 40 V N, 8 broches, HUML2020L8 RF4G100BG

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Code commande RS:
241-2263
Référence fabricant:
RF4G100BGTCR
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

10.3A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

HUML2020L8

Série

RF4G100BG

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

N

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.6nC

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le Rohm RF4G100BG est un transistor MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'état passant et adapté pour la commutation.

Faible résistance à état passant

Petit boîtier moulé haute puissance HUML2020L8

Placage sans plomb et conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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