MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 153 A 25 V, 8 broches

Le transistor MOSFET de puissance à canal N OptiMOSTM 5 d'Infineon est doté d'une tension de source de drain (VDS) de 25 V et d'un courant de drain (ID) de 153 A. Sa charge de grille et de sortie ultra-faible, ainsi que sa résistance à l'état passant la plus faible dans des boîtiers à faible encombrement, en font le meilleur choix pour les besoins exigeants des solutions de régulation de tension dans les serveurs, les applications de données et de télécommunications. Il permet d'économiser les coûts généraux du système en réduisant le nombre de phases dans les convertisseurs multiphasés et en réduisant les pertes de puissance et en augmentant le rendement dans toutes les conditions de charge.

Optimisé pour les convertisseurs buck haute performance
Diode monolithique intégrée de type schottky
Très faible résistance à l'état passant RDS(on)@VGS = 4,5 V
Testé à 100 % en avalanche
Canal N
Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles
Placage de câble sans plomb
Conformité à la directive RoHS
Sans halogène selon la norme CEI 61249-2-21