MOSFET canal N Infineon 147 A 25 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS
- Code commande RS:
- 214-8972
- Référence fabricant:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,331 € | 19,97 € |
| 75 - 135 | 1,263 € | 18,95 € |
| 150 - 360 | 1,211 € | 18,17 € |
| 375 - 735 | 1,157 € | 17,36 € |
| 750 + | 1,077 € | 16,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-8972
- Référence fabricant:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 147A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 50W | |
| Tension directe Vf | 650mV | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5.49mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.35mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 147A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 50W | ||
Tension directe Vf 650mV | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5.49mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.35mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, dissipation de puissance maximale de 50 W, tension de source de drain maximale de 25 V - BSC015NE2LS5IATMA1
Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N à courant élevé conçu pour la commutation de puissance à montage en surface et le contrôle de charge dans les environnements thermiques exigeants. Il fonctionne sur une large plage de températures et est spécifié pour une gestion importante du courant de drain continu et de la puissance, ce qui le rend adapté aux applications qui nécessitent de faibles pertes de conduction et une commutation rapide pilotée par grille.
Caractéristiques et avantages :
• Rds(on) de 1,5 mΩ réduit les pertes de conduction à des courants élevés
• Le courant de drain continu de 147 A prend en charge les courants de charge lourds
• La dissipation de puissance de 50 W permet une gestion de puissance soutenue
• La charge de grille typique de 22 nC permet un contrôle de commutation efficace
• La tension directe de 0,65 V minimise la chute de tension sous charge
• La valeur nominale de drain‐source de 25 V est adaptée aux rails d'alimentation basse tension
• Le courant de drain continu de 147 A prend en charge les courants de charge lourds
• La dissipation de puissance de 50 W permet une gestion de puissance soutenue
• La charge de grille typique de 22 nC permet un contrôle de commutation efficace
• La tension directe de 0,65 V minimise la chute de tension sous charge
• La valeur nominale de drain‐source de 25 V est adaptée aux rails d'alimentation basse tension
Applications
• Convient aux convertisseurs c.c.-c.c. à courant élevé
• Idéal pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Utilisé pour les étapes d'entraînement de moteur dans l'électronique de puissance
• Peut être utilisé pour la protection et la distribution des batteries
• Adapté à la commutation de puissance dans les assemblages CMS compacts
• Idéal pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Utilisé pour les étapes d'entraînement de moteur dans l'électronique de puissance
• Peut être utilisé pour la protection et la distribution des batteries
• Adapté à la commutation de puissance dans les assemblages CMS compacts
Quel type de boîtier et de montage utilise-t-il?
Il est fourni dans un boîtier TDSON à 8 broches destiné à un montage en surface.
Quelles sont les limites de tension à respecter lors de la conception des circuits?
La tension maximale de drain‐source est de 25 V et la tension maximale de porte‐source est de 16 V.
Comment fonctionne-t-il à des températures extrêmes?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C pour une plage thermique étendue.
Quel type de canal et quel mode sont mis en œuvre?
Le dispositif est un transistor MOSFET à mode d'enrichissement à canal N.
Quelles sont les contraintes d'encombrement physique qui sont pertinentes pour la disposition des circuits imprimés?
Le boîtier mesure environ 5,49 mm sur 6,35 mm avec une hauteur de 1,1 mm.
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