MOSFET canal N Infineon 147 A 25 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS

Code commande RS:: 214-8971
Référence fabricant:: BSC015NE2LS5IATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 147 A 25 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

2 615,00 €

3 140,00 €

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5000 +	0,523 €	2 615,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 214-8971
Référence fabricant:: BSC015NE2LS5IATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	147A
	Tension Drain Source maximum Vds	25V
	Type de Boitier	TDSON
	Série	OptiMOS
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.5mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	22nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	50W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	650mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs	16V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	5.49mm
	Hauteur	1.1mm
	Largeur	6.35mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 147A
	Tension Drain Source maximum Vds 25V
	Type de Boitier TDSON
	Série OptiMOS
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.5mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 22nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 50W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 650mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs 16V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 5.49mm
	Hauteur 1.1mm
	Largeur 6.35mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Datasheet - BSC015NE2LS5IATMA1

Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, dissipation de puissance maximale de 50 W, tension de source de drain maximale de 25 V - BSC015NE2LS5IATMA1

Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N à courant élevé conçu pour la commutation de puissance à montage en surface et le contrôle de charge dans les environnements thermiques exigeants. Il fonctionne sur une large plage de températures et est spécifié pour une gestion importante du courant de drain continu et de la puissance, ce qui le rend adapté aux applications qui nécessitent de faibles pertes de conduction et une commutation rapide pilotée par grille.

Caractéristiques et avantages :

• Rds(on) de 1,5 mΩ réduit les pertes de conduction à des courants élevés
• Le courant de drain continu de 147 A prend en charge les courants de charge lourds
• La dissipation de puissance de 50 W permet une gestion de puissance soutenue
• La charge de grille typique de 22 nC permet un contrôle de commutation efficace
• La tension directe de 0,65 V minimise la chute de tension sous charge
• La valeur nominale de drain‐source de 25 V est adaptée aux rails d'alimentation basse tension

Applications

• Convient aux convertisseurs c.c.-c.c. à courant élevé
• Idéal pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Utilisé pour les étapes d'entraînement de moteur dans l'électronique de puissance
• Peut être utilisé pour la protection et la distribution des batteries
• Adapté à la commutation de puissance dans les assemblages CMS compacts

Quel type de boîtier et de montage utilise-t-il?

Il est fourni dans un boîtier TDSON à 8 broches destiné à un montage en surface.

Quelles sont les limites de tension à respecter lors de la conception des circuits?

La tension maximale de drain‐source est de 25 V et la tension maximale de porte‐source est de 16 V.

Comment fonctionne-t-il à des températures extrêmes?

Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C pour une plage thermique étendue.

Quel type de canal et quel mode sont mis en œuvre?

Le dispositif est un transistor MOSFET à mode d'enrichissement à canal N.

Quelles sont les contraintes d'encombrement physique qui sont pertinentes pour la disposition des circuits imprimés?

Le boîtier mesure environ 5,49 mm sur 6,35 mm avec une hauteur de 1,1 mm.