MOSFET N Infineon 100 A 25 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS
- Code commande RS:
- 178-7480
- Référence fabricant:
- BSC010NE2LSATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
3 720,00 €
HT
4 465,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,744 € | 3 720,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-7480
- Référence fabricant:
- BSC010NE2LSATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 31nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 31nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Boîtier vert (sans plomb)
Très faible RDS(on)
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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