MOSFET canal N Infineon 25 A 250 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS 3

Code commande RS:: 178-7486
Référence fabricant:: BSC600N25NS3GATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 25 A 250 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS 3

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

7 065,00 €

8 480,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
5000 +	1,413 €	7 065,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 178-7486
Référence fabricant:: BSC600N25NS3GATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	25A
	Tension Drain Source maximum Vds	250V
	Type de Boitier	TDSON
	Série	OptiMOS 3
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	60mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	22nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	125W
	Tension directe Vf	1.2V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	5.35mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	1.1mm
	Longueur	6.1mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 25A
	Tension Drain Source maximum Vds 250V
	Type de Boitier TDSON
	Série OptiMOS 3
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 60mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 22nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 125W
	Tension directe Vf 1.2V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 5.35mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 1.1mm
	Longueur 6.1mm
	Standard automobile Non

BSC600N25NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor

Statut RoHS : Exempté

Transistor MOSFET OptiMOS série 3 d'Infineon, tension de source de drain de 250 V, courant de drain continu de 25 A - BSC600N25NS3GATMA1

Ce MOSFET est un transistor à canal N haute tension conçu pour la commutation de puissance dans les applications à montage en surface. Il fonctionne sur une plage thermique étendue et est adapté aux circuits nécessitant une gestion robuste de la tension drain-source et un courant continu modéré. Le dispositif est fourni dans un boîtier TDSON à 8 broches pour une intégration compacte au niveau de la carte.

Caractéristiques et avantages :

• La tension de drain de 250 V permet des applications de commutation haute tension
• Le courant continu de 25 A permet une gestion substantielle de la charge
• Rds(on) de 60 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La charge de grille typique de 22 nC permet des performances de commutation réactives
• La dissipation de puissance maximale de 125 W permet une charge thermique élevée

Applications

• Convient aux convertisseurs c.c.-c.c. haute tension sur les cartes d'alimentation
• Idéal pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Utilisé avec les étages d'entraînement de moteur nécessitant une manipulation de 25 A
• Peut être utilisé pour les alimentations à découpage avec des empreintes étroites
• Adapté aux circuits de commutation industriels exposés à des températures extrêmes

Quelles sont les limites de tension de grille à respecter lors de la conception?

La tension de source de grille ne doit pas dépasser 20 V afin d'éviter les contraintes d'oxyde de grille et de garantir la fiabilité de l'appareil.

Comment le type de canal affecte-t-il les choix de topologie de circuit?

En tant que dispositif d'amélioration à canal N, il est généralement placé sur le côté bas des commutateurs ou utilisé dans les topologies synchrones pour une meilleure efficacité.

Quel environnement thermique peut-il tolérer pendant le fonctionnement?

Le composant fonctionne de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des installations à large plage de température où les conditions ambiantes varient.

Quelles sont les considérations de montage de boîtier recommandées?

Le format TDSON à montage en surface nécessite des tampons thermiques et des profils de soudage appropriés pour gérer la dissipation thermique et la stabilité mécanique.