MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS
- Code commande RS:
- 171-1961
- Référence fabricant:
- BSC014N04LSATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
12,12 €
HT
14,54 €
TTC
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- 4 970 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,212 € | 12,12 € |
| 50 - 90 | 0,98 € | 9,80 € |
| 100 - 240 | 0,919 € | 9,19 € |
| 250 - 490 | 0,859 € | 8,59 € |
| 500 + | 0,799 € | 7,99 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 171-1961
- Référence fabricant:
- BSC014N04LSATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 61nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | J-STD20 and JESD22 | |
| Longueur | 5.15mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Largeur | 6.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série OptiMOS | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 61nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations J-STD20 and JESD22 | ||
Longueur 5.15mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Largeur 6.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, tension de source de drain maximale de 40 V, courant de drain continu maximal de 100 A - BSC014N04LSATMA1
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drain continu de 100 A permet de gérer les courants élevés
• La valeur nominale drain-source de 40 V permet des étages de puissance à moyenne tension
• La charge de grille typique de 61 nC prend en charge des performances de commutation rapides
• La dissipation de puissance maximale de 96 W permet une charge thermique significative
• La tension maximale grille-source de 20 V permet une commande de grille robuste
Applications
• Idéal pour les rails d'alimentation à courant élevé dans les équipements industriels
• Utilisé avec des convertisseurs buck synchrones pour une commutation efficace
• Peut être utilisé pour les modules demi-pont de driver de moteur
• Convient aux assemblages d'alimentation compacts à montage en surface
Quel boîtier et quelle méthode de montage utilise-t-il?
Comment résiste-t-il aux plages de températures étendues?
Quelles sont les limites de l'entraînement de grille que les concepteurs doivent respecter?
Quelle polarité électrique et quel comportement du canal suit-il?
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