MOSFET Infineon canal N, TDSON 100 A 40 V, 8 broches

Les nouvelles familles de produits 40 V et 60 V sont dotées non seulement de la R DS(on) la plus faible de l'industrie, mais également d'un comportement de commutation parfait pour les applications de commutation rapide. Une R DS(on) plus faible de 15 % et un facteur de mérite (R DS(on) x Q g) plus faible de 31 % par rapport aux autres dispositifs ont été réalisés par la technologie de galette fine avancée. Les nouvelles familles de produits 40 V et 60 V sont dotées non seulement de la R DS(on) la plus faible de l'industrie, mais également d'un comportement de commutation parfait pour les applications de commutation rapide. Une R DS(on) plus faible de 15 % et un facteur de mérite (R DS(on) x Q g) plus faible de 31 % par rapport aux autres dispositifs ont été réalisés par la technologie de galette fine avancée.

Optimisé pour une rectification synchrone
R DS(on) plus faible de 15 % par rapport aux autres dispositifs
Amélioration de 31 % du facteur de mérite (FOM) par rapport aux dispositifs similaires
Diode de type Schottky intégrée
Sans halogène
Avantages :
Rendement système le plus élevé
Moins de mise en parallèle nécessaire
Densité de puissance accrue
Réduction des coûts des systèmes
Très faible dépassement de tension
Applications :
Rectification synchrone
Micro-inverseur solaire
Convertisseurs c.c.-c.c. isolés
Commande de moteur
Commutateurs OR-ing