MOSFET canal N Infineon 49 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS 3

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Code commande RS:
911-4858
Référence fabricant:
BSC093N04LSGATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

49A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TDSON

Série

OptiMOS 3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

13.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.6nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.1mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.35mm

Longueur

6.35mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 49A Maximum Continuous Drain Current, 2,5W Maximum Power Dissipation - BSC093N04LSGATMA1


Ce MOSFET est conçu pour une gestion et un contrôle efficaces de la puissance, jouant un rôle important dans les applications électriques et d'automatisation qui requièrent de hautes performances. Son intégration améliore l'efficacité du circuit, contribuant à la fiabilité globale du système et à sa réactivité dans divers environnements.

Caractéristiques et avantages


• Fournit un courant de vidange continu maximum de 49A

• Fonctionne efficacement dans une plage de tension de 40V

• La faible résistance drain-source améliore les performances

• Permet un montage en surface pour une intégration plus facile

• Stabilité thermique élevée avec une température maximale de +150°C

• Convient à diverses applications grâce à une large plage de tension de seuil de grille

Applications


• Idéal pour l'électricité dans le domaine de l'automatisation et de la robotique

• Utilisé dans les systèmes de recharge des véhicules électriques

• Convient aux tâches d'alimentation et de conversion

• Application aux circuits de commande de moteurs et aux entraînements

• Utilisé dans les télécommunications pour une gestion efficace des signaux

Quel type de charge cet appareil peut-il supporter efficacement ?


Il peut gérer des charges allant jusqu'à 49A, ce qui le rend approprié pour des applications à courant élevé dans diverses industries.

Est-il compatible avec la technologie de montage en surface ?


Oui, il est conçu pour être monté en surface, ce qui facilite son installation sur les circuits imprimés.

Quelles sont les limites de tension de grille pour ce composant ?


Le dispositif a des limites de tension de source de porte de -20V à +20V, ce qui permet une flexibilité dans la conception des circuits.

Peut-elle fonctionner dans des conditions de température extrêmes ?


Oui, il fonctionne effectivement dans une plage de température allant de -55°C à +150°C, ce qui garantit son fonctionnement dans des environnements difficiles.

Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, jusqu'à 40 V


Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

MOSFET à commutation rapide pour SMPS

Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.

Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées

Canal N, niveau logique

Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)

Très faible résistance R DS(on)

Placage compatible sans plomb

Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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