MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS 5
- Code commande RS:
- 906-4381
- Référence fabricant:
- BSC010N04LSATMA1
- Marque:
- Infineon
- Code commande RS:
- 906-4381
- Référence fabricant:
- BSC010N04LSATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Série | OptiMOS 5 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 95nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 139W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.35mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Série OptiMOS 5 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 95nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 139W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Longueur 6.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.35mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS non applicable
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
Transistors MOSFET, Infineon
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS 5
- MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 275 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 40 A 30 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 381 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS™
- MOSFET canal N Infineon 40 A 60 V Enrichissement TDSON OptiMOS 5
- MOSFET canal N Infineon 49 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
