MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS 5

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Code commande RS:
906-4381
Référence fabricant:
BSC010N04LSATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TDSON

Série

OptiMOS 5

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

95nC

Dissipation de puissance maximum Pd

139W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.1mm

Longueur

6.1mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.35mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS non applicable

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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