Transistor MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 64 A 60 V, 8 broches

Le transistor MOSFET à canal N OptiMOSTM 5 d'Infineon est doté d'une tension de source de drain (VDS) de 60 V et d'un courant de drain (ID) de 64 A. Il est optimisé pour le redressement synchrone dans les alimentations à découpage (SMPS) telles que celles que l'on trouve dans les serveurs et les ordinateurs de bureau et le chargeur de tablette. En outre, ces dispositifs sont un choix parfait pour une large gamme d'applications industrielles, y compris la commande de moteur, le micro-inverseur solaire et le convertisseur c.c.-c.c. à commutation rapide.

Optimisé pour les SMPS de haute performance, par ex. sync. rec.
Testé à 100 % en avalanche
Résistance thermique supérieure
Canal N
Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles
Placage de câble sans plomb
Conformité à la directive RoHS
Sans halogène selon la norme CEI 61249-2-21