MOSFET Nexperia, TO-247 47,2 A 650 V

Le transistor FET au nitrure de gallium (GaN) de Nexperia dans un boîtier TO-247 est un dispositif normalement hors tension qui combine la toute dernière technologie GaN HEMT H2 haute tension de Nexperia et les technologies MOSFET au silicium basse tension offrant une fiabilité et des performances supérieures.

Charge de récupération inverse ultra-faible
Entraînement de grille simple (0 à +10 V ou 12 V)
Oxyde de grille robuste (capacité ±20 V)
Tension de seuil de grille élevée (+4 V) pour une très bonne immunité aux rebonds de grille
Très faible tension de drain de source en mode de conduction inverse
Capacité de surtension transitoire

Convertisseurs à commutation dure et douce pour l'alimentation industrielle et de données
PFC totempole sans pont
Onduleurs PV et UPS
Servo-moteurs