MOSFET Infineon, PG-TO 247 22 A 650 V

La série de transistors MOSFET à super jonction CoolMOS C7 600 V d'Infineon offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension par rapport à la série CoolMOS CP, offrant un niveau de performance exceptionnel dans les topologies PFC, TTF et autres topologies difficiles à commuter. Le transistor MOSFET est également une combinaison parfaite pour les conceptions de chargeur à haute densité de puissance. Applications de rendement et TCO telles que les hypercentres de données et les redresseurs de télécommunications à haut rendement (>96 %) bénéficient du rendement plus élevé offert par CoolMOS C7. Des gains de 0,3 à 0,7 % dans les topologies PFC et de 0,1 % dans les topologies LLC peuvent être obtenus. Dans le cas d'une alimentation de serveur de 2,5 kW, par exemple, l'utilisation de transistors MOSFET CoolMOS C7 SJ de 600 V dans un boîtier TO-247 4 broches peut entraîner une réduction des coûts d'énergie d'environ 10 % pour la perte d'énergie de l'alimentation.

Fréquence de commutation accrue
Meilleur R (on)A au monde
Diode de corps robuste
Mesure affichant le paramètre clé pour une charge légère et un rendement à pleine charge
Le doublement de la fréquence de commutation permet de réduire de moitié la taille des composants magnétiques
Boîtiers plus petits pour le même R DS(on)
Peut être utilisé dans beaucoup plus de positions pour les topologies de commutation dure et souple