MOSFET P Nexperia 17.7 A 30 V Enrichissement, 8 broches, MLPAK33
- Code commande RS:
- 243-4897
- Référence fabricant:
- PXP9R1-30QLJ
- Marque:
- Nexperia
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,50 € | 5,00 € |
| 50 - 90 | 0,491 € | 4,91 € |
| 100 - 240 | 0,383 € | 3,83 € |
| 250 - 990 | 0,376 € | 3,76 € |
| 1000 + | 0,282 € | 2,82 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 243-4897
- Référence fabricant:
- PXP9R1-30QLJ
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 17.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | MLPAK33 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 17.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier MLPAK33 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor à effet de champ (FET) à mode d'amélioration à canal P de Nexperia dans un boîtier en plastique à montage en surface (CMS) MLPAK33 (SOT8002) utilisant la technologie Trench MOSFET.
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