MOSFET Infineon canal P, SOIC 3,4 A 55 V, 8 broches

Transistor MOSFET de puissance de type canal N AUIRF7342QTR d'Infineon spécialement conçu pour les applications automobiles, cette conception cellulaire de transistor MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour atteindre une faible résistance à l'état passant par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de circuit robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un circuit extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans le secteur automobile et une grande variété d'autres applications.

Technologie planaire avancée
Faible résistance à la mise sous tension
Entraînement de grille de niveau logique
Transistor MOSFET à canal P double
Valeur nominale dv/dt dynamique
150 °C de température d'utilisation
commutation rapide
Valeur nominale d'avalanche complète
Sans plomb, conforme à la directive RoHS