MOSFET 2 canal Type P Infineon -3.4 A -55 V, 8 broches, SOIC HEXFET Non
- Code commande RS:
- 243-9284
- Référence fabricant:
- AUIRF7342QTR
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 243-9284
- Référence fabricant:
- AUIRF7342QTR
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -3.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -55V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -55V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 26nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id -3.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -55V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -55V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 26nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance de type canal N AUIRF7342QTR d'Infineon spécialement conçu pour les applications automobiles, cette conception cellulaire de transistor MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour atteindre une faible résistance à l'état passant par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de circuit robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un circuit extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans le secteur automobile et une grande variété d'autres applications.
Technologie planaire avancée
Faible résistance à la mise sous tension
Entraînement de grille de niveau logique
Transistor MOSFET à canal P double
Valeur nominale dv/dt dynamique
150 °C de température d'utilisation
commutation rapide
Valeur nominale d'avalanche complète
Sans plomb, conforme à la directive RoHS
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