MOSFET 2 canal Type P Isolé Infineon 3.4 A 55 V Enrichissement, 8 broches, SOIC HEXFET Non
- Code commande RS:
- 826-8901
- Référence fabricant:
- IRF7342TRPBF
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 826-8901
- Référence fabricant:
- IRF7342TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 170mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 26nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 170mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 26nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4mm | ||
Longueur 5mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 3,4A, dissipation de puissance maximale de 2W - IRF7342TRPBF
Ce MOSFET de puissance est destiné à la gestion efficace de l'énergie dans divers appareils électroniques. Doté d'une configuration à canal P, il convient aux opérations de commutation et d'amplification de haute performance. Ses spécifications robustes répondent aux exigences essentielles des ingénieurs et des concepteurs dans les secteurs de l'automatisation et de l'électricité.
Caractéristiques et avantages
• Courant de vidange continu maximum de 3,4A
• Tolérance de tension drain-source jusqu'à 55V
• La conception du montage en surface permet des installations simples
• La faible résistance maximale drain-source améliore l'efficacité énergétique
• La tension de seuil de la porte de 1 V permet une commutation fiable
Applications
• Circuits de gestion de l'énergie pour une meilleure utilisation de l'énergie
• Équipement d'automatisation nécessitant des capacités de commutation robustes
• Convient aux systèmes de contrôle des moteurs
• Utilisé dans les convertisseurs de puissance pour l'électronique
• Courant dans les systèmes de gestion de la batterie
Quelles sont les limites thermiques de fonctionnement ?
Il fonctionne efficacement dans une plage de températures allant de -55°C à +150°C, ce qui garantit sa fiabilité dans divers environnements.
Comment ce composant améliore-t-il l'efficacité du circuit ?
La faible valeur de Rds(on) réduit la perte de puissance pendant le fonctionnement, améliorant ainsi l'efficacité globale du circuit.
Ce MOSFET peut-il gérer des courants pulsés ?
Oui, il peut supporter des courants de drainage pulsés allant jusqu'à 27A, ce qui convient aux conditions transitoires.
Dans quel type d'emballage le produit est-il disponible ?
Il est disponible dans un boîtier SO-8 pour montage en surface, ce qui permet d'optimiser la flexibilité de l'agencement et les processus de fabrication.
Existe-t-il une tension de grille spécifique pour obtenir des performances optimales ?
La tension porte-source devrait idéalement être maintenue à ±20V pour des performances optimales et la longévité du dispositif.
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