MOSFET canal N Infineon 3.4 A 20 V, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 257-5572
- Référence fabricant:
- IRLHS6276TRPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 4000 unités)*
740,00 €
HT
888,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 14 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 0,185 € | 740,00 € |
| 8000 + | 0,176 € | 704,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-5572
- Référence fabricant:
- IRLHS6276TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 65mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 9.6W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 2mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 65mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 9.6W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 2mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
La famille de MOSFET de puissance strongIRFET d'Infineon est optimisée pour un faible RDS et une capacité de courant élevé. Les dispositions sont idéaux pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et de la robustesse. Le portefeuille complet s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c. c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c. c.-c. c.
Optimisé pour une disponibilité maximale auprès des partenaires de distribution
Qualification des produits selon la norme JEDEC
Boîtier d'alimentation pour montage en surface standard
Faible RDS(on) dans un petit boîtier
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 3.4 A 20 V, PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 40 A 20 V, PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 49 A 20 V, PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 22 A 20 V Enrichissement, PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 265 A 40 V, PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 21 A 30 V, PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 259 A 40 V, PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 88 A 100 V, PQFN HEXFET