MOSFET Infineon canal N/P, SOIC 4 A 55 V, 8 broches

Ces transistors MOSFET de puissance HEXFET® AUIRF7343QTR d'Infineon spécialement conçus pour les applications automobiles dans un boîtier double SO-8 utilisent les dernières techniques de traitement pour atteindre une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de ces transistors MOSFET de puissance HEXFET homologués pour l'automobile sont une température d'utilisation de jonction de 150 °C, une vitesse de commutation rapide et une valeur nominale d'avalanche répétitive améliorée.

Technologie planaire avancée
Entraînement de grille de niveau
logique
à très faible résistance activéeTransistor MOSFET
à double canal
N et P à montage en surfaceDisponible en ruban et bobine
Température
d'utilisation de 150 °C Sans plomb, conforme à la directive RoHS