MOSFET Infineon canal N, TO-252 11 A 650 V, 3 broches

Les transistors MOSFET de puissance CoolMOS C7 d'Infineon sont une avancée révolutionnaire dans la technologie, fournissant un faible RDS(on)/boîtier et, grâce à ses faibles pertes de commutation, des améliorations d'efficacité sur toute la plage de charge. Ils offrent le plus bas RDS(on) au monde de 19 mΩ dans un TO-247 et 45 mΩ dans les boîtiers TO-220 et D2PAK. Les performances de commutation rapides du C7 permettent désormais aux clients de fonctionner à des fréquences de commutation supérieures à 100 kHz tout en atteignant des niveaux de rendement en titane dans les étapes PFC du serveur.

Tension de 650 V
Révolutionnaire : le meilleur RDS (on)/emballage de sa catégorie
Réduction de l'énergie stockée dans la capacité de sortie (Eoss)
Réduction de la charge de grille Qg
Gain d'espace grâce à l'utilisation de boîtiers plus petits ou à la réduction des pièces
Marge de sécurité améliorée et adaptée aux applications SMPS et onduleurs solaires
Pertes de conduction minimales/emballage
Pertes de commutation minimales
Meilleure efficacité en charge légère
Densité de puissance accrue