MOSFET canal N DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI1012-8 AEC-Q101

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Code commande RS:
244-1940
Référence fabricant:
DMTH4001STLWQ-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

PowerDI1012-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

41mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.73W

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET de DiodesZetex est conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il est homologué AEC-Q101, pris en charge par un PPAP et est idéal pour une utilisation dans les convertisseurs c.c./c.c., les commandes de moteur, la gestion de l'alimentation.

La commutation inductive 100 % non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste

Haut rendement de conversion

Flanc mouillable pour une inspection optique améliorée

Totalement sans plomb et entièrement conforme à la directive RoHS

Dispositif écologique sans halogène ni antimoine

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